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锂离子电池中高容量硅铝/碳复合负极材料的制备与性能研究

文钟晟 , 谢晓华 , 王可 , 杨军 , 解晶莹

无机材料学报

锂离子电池用高容量负极材料普遍存在首次不可逆容量高、循环性能差等问题. 本文采用高温固相法制备了硅铝/碳锂离子电池负极材料, 制备出的复合负极材料的比容量远高于目前锂离子电池普遍使用的中间相碳微球, 循环寿命则优于同粒度的硅单体为活性中心的硅碳复合材料. Al引入Si/C复合材料中, 有效抑制了材料的首次嵌锂深度,且减缓了电压滞后现象. 制备的复合负极材料首次可逆容量达到600mAh/g, 首次充放电效率在85\%以上, 25次循环后容量仍保持90%以上.

关键词: 锂离子电池 , anode , composite material , silicon

IMPROVEMENT OF OXIDATION RESISTANCE AND MECHANICAL PROPERTIES BY THE ADDITION OF YTTRIUM AND SILICON IN A Ni_3Al BASE ALLOY IC6

C.B. Xiao and Y.F.Han(Beijing Institute of Aeronautical Materials (BIAM) , Beijing 100095 , China)

金属学报(英文版)

The oridation resistance at 1100°C of a dirationally solidified Ni3Al base alloy IC6is substantially improved by the addition of yttriurn or yttrium and silicon. The stress rupture property under 1100°C/80MPa is increased by adding proper amounts of yttrium, howevef it decreases bg adding 0.3wt% silicon and 0. 1wt% yttrium at the same time, which may be attributed to the formation of a needle like phase rich in nickel and molybdenum.

关键词: Ni_3Al , null , null , null

AN HREM STUDY OF A LATERAL MICROCRACK BENEATH INDENTATION OF [001] SILICON

Y.Q. Wu , X. Y. Yang and Y.B. Xu (State Key Laboratory for Fatigue and Fracture of Materials , Institute of Metal Research , The Chinese Academy of Sciences , Shenyang 110015 , China)(Laboratory of Atomic Imaging of Solids , Institute of Metal Research , The Chinese Academy of Sciences , Shenyang 110015 , China)

金属学报(英文版)

A cross-sectional sample of indentation in [001] silicon was made and a lateral microcrack beneath the indentation was observed by high resolution electron microscope (HREM). The HREM images around the microcrack tip show an alternate distribution of the amorphous and lattice structure. The crack does not propagate by the successive debonding between certain atomic planes, meaning that before a crack completely opens, there may be a stage of amorphization, resulting from severe distortion of lattice.

关键词: amorphization , null , null , null , null

n型补偿直拉单晶硅的电子迁移率

易俊 , 陈鹏 , 马向阳 , 杨德仁

材料科学与工程学报

通过霍尔效应测量、二次离子质谱等手段研究了n型硼-磷补偿直拉单晶硅的电子迁移率与掺杂浓度的关系.通过比较迁移率的实验测量值和由Klaassen迁移率模型得到的计算值,发现Klaassen模型适用于掺杂浓度在1018 cm-3数量级的补偿单晶硅电子迁移率的计算,但对掺杂浓度在1017cm-3数量级的补偿单晶硅而言则明显高估了电子迁移率.分析认为这是由于该模型未充分考虑低掺杂浓度情形下自由载流子对电离杂质的屏蔽作用由于杂质补偿受到的削弱效应.根据实验结果,修正了Klaassen模型,使之在低掺杂浓度的情况下获得的电子迁移率计算值也与实验值吻合得相当好.

关键词: 电子迁移率 , 补偿 ,

钒铝合金用五氧化二钒制取技术研究

殷兆迁 , 孙朝晖 , 李大标 , 侯海军

钢铁钒钛 doi:10.7513/j.issn.1004-7638.2014.06.002

钒铝合金主要作为制作钛合金、高温合金的中间合金及某些特殊合金的添加剂,五氧化二钒是制备钒铝合金的重要原料.在实验室条件下,通过返溶除硅、碱性沉钒工艺制备的五氧化二钒符合钒铝合金原料的要求,纯度达到了99.5%,Si、Cr、Fe均小于0.05%.工业试验工艺稳定,五氧化二钒的纯度达到99.5%,杂质含量小于0.05%.确定的适宜工艺参数为:除硅剂A与硅摩尔比为1.05、除硅反应pH值为10.0,除硅反应温度为70℃、除硅反应时间为60 min、沉钒反应沉钒剂与钒摩尔比为3.1、沉钒反应温度为60℃、沉钒反应时间为60 min.

关键词: 钒铝合金 , 五氧化二钒 ,

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